RD3L080SNTL1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

9.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

15 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

4.8 S

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Parte # Alias:

RD3L080SN

Tags

RD3L08, RD3L0, RD3L, RD3