BSS123NH6327XT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

190 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

900 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

410 mS

Tempo di caduta:

22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.3 ns

Parte # Alias:

BSS123N BSS123NH6327XTSA1 H6327 SP000870646

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

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