CXT5551HC TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

160 V

Collettore-tensione di base VCBO:

180 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.2 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

CXT5551HC

Guadagno di corrente CC hFE Max:

250 at 10 mA, 5 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30 at 50 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

CXT5551HC PBFREE TR

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CXT5551H, CXT555, CXT55, CXT5, CXT