2SA1163-GRTE85LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-59-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 120 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 120 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.3 V

Corrente massima del collettore CC:

- 100 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 125 C

Serie:

2SA1163

Guadagno di corrente CC hFE Max:

700

Confezione:

Bobina

Marca:

Toshiba

Corrente continua del collettore:

- 100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

2SA1163-G, 2SA1163, 2SA116, 2SA11, 2SA1, 2SA