2N3439UA/TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LCC-4

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

350 V

Collettore-tensione di base VCBO:

450 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

160 at 20 mA, 10 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

10 at 200 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Tags

2N3439UA, 2N3439U, 2N3439, 2N343, 2N34, 2N3