PBSS5350SS,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

2.7 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200 at 100 mA, 2 V

Altezza:

1.45 mm

Lunghezza:

5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

4 mm

Marca:

Nexperia

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 100 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 130 at 2 A, 2 V, 95 at 2.7 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1430 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

PBSS5350SS T/R

Tags

PBSS5350SS, PBSS5350S, PBSS5350, PBSS535, PBSS53, PBSS5, PBSS, PBS