FCP650N80Z

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

650 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V, 30 V

Qg - Carica cancello:

27 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

162 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

SuperFET II

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.3 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

FCP650N80Z

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

7.8 S

Tempo di caduta:

3.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

FCP6, FCP