FDS86252

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

55 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

10.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

5 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Serie:

FDS86252

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

13 S

Tempo di caduta:

2.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.2 ns

Unità di peso:

0.004586 oz

Tags

FDS862, FDS86, FDS8, FDS