SI3127DV-T1-GE3

Mfr. #:: SI3127DV-T1-GE3
Produttore:: Vishay
Descrizione:: MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
Ciclo vitale:: Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:: SI3127DV-T1-GE3 Scheda dati
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Attributo del prodotto
Valore attributo

Produttore: Vishay / Siliconix

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Confezione: Bobina

Unità di peso: 0.000705 oz

Stile di montaggio: SMD/SMT

Pacchetto-Custodia: TSOP-6

Tecnologia: si

Numero di canali: 1 Channel

Configurazione: Separare

Pd-Power-Dissipazione: 4.2 W

Massima temperatura di esercizio: + 150 C

Temperatura di esercizio minima: - 55 C

Tempo di caduta: 16 ns

Ora di alzarsi: 6 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: +/- 20 V

Id-Continuo-Scarico-Corrente: - 5.1 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: - 60 V

Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione: - 1 V

Rds-On-Drain-Source-Resistenza: 146 mOhms

Polarità del transistor: Canale P

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico: 35 ns

Tempo di ritardo all'accensione tipico: 40 ns

Qg-Gate-Carica: 20 nC

Modalità canale: Aumento

Tags: SI3127D, SI3127, SI312, SI31, SI3

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SI3127DV-T1-GE3 Descrizione

***ure Electronics: Si3127DV Series 60 V 3.5 A Surface Mount P-Channel Mosfet - TSOP-6

***et Europe: Trans MOSFET P-CH -60V -3.5A 6-Pin TSOP T/R

***ical: Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 6-Pin TSOP T/R

***i-Key: MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S

***ark: P-Channel 60-V (D-S) Mosfet

SI3127DV-T1-GE3 Maggiori informazioni

Si3 MOSFETs: Vishay/Siliconix Si3 MOSFETs are a TrenchFET® power MOSFETs operate in an enhancement mode. These Si3 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel with ultra-low RDS(ON) for high-efficiency. These MOSFETs are also available in different VGS and VDS ranges. The Si3 MOSFETs incorporate Si technology and operate at a temperature ranging from -55ºC to 150ºC. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More

Market price

Parte #	Mfg.	Descrizione	Azione	Prezzo
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SI3127DV-T1-GE3 DISTI # SI3127DV-T1-GE3TR-ND	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape & Reel (TR)	3000In Stock	30000:$0.1398 15000:$0.1474 6000:$0.1583 3000:$0.1693
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SI3127DV-T1-GE3 DISTI # SI3127DV-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET P-CH -60V -3.5A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: SI3127DV-T1-GE3) RoHS: Not Compliant Min Qty: 3000 Container: Reel	Americas - 0	30000:$0.1329 18000:$0.1369 12000:$0.1399 6000:$0.1459 3000:$0.1509
SI3127DV-T1-GE3 DISTI # SI3127DV-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	Trans MOSFET P-CH -60V -3.5A 6-Pin TSOP T/R (Alt: SI3127DV-T1-GE3) RoHS: Compliant Min Qty: 3000 Container: Tape and Reel	Europe - 0	30000:€0.1209 18000:€0.1299 12000:€0.1409 6000:€0.1639 3000:€0.2399
SI3127DV-T1-GE3 DISTI # 96X2711	Vishay Intertechnologies	P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET	0	50000:$0.1350 30000:$0.1410 20000:$0.1510 10000:$0.1620 5000:$0.1750 1:$0.1790
SI3127DV-T1-GE3 DISTI # 78-SI3127DV-T1-GE3	Vishay Intertechnologies	MOSFET -60V Vds 20V Vgs TSOP-6 RoHS: Compliant	68291	1:$0.4900 10:$0.3750 100:$0.2780 500:$0.2280 1000:$0.1760 3000:$0.1610 6000:$0.1500 9000:$0.1400

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Immagine	Parte #	Descrizione
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	Mfr.#: SI3127DV-T1-GE3 OMO.#: OMO-SI3127DV-T1-GE3-VISHAY	MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
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100: ~~0,18 USD~~; ~~17,94 USD~~

500: ~~0,17 USD~~; ~~84,70 USD~~

1000: ~~0,16 USD~~; ~~159,50 USD~~

A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.

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