SGW10N60RUFDTM

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.2 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

16 A

Pd - Dissipazione di potenza:

75 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Corrente continua del collettore Ic Max:

16 A

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

10 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.079014 oz

Tags

SGW10N60R, SGW10, SGW1, SGW