ARF466BG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

13 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1 kV

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1 Ohms

Guadagno:

16 dB

Potenza di uscita:

300 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Confezione:

Tubo

Frequenza operativa:

45 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconduttanza diretta - Min:

3.3 mS

Numero di canali:

1 Channel

Pd - Dissipazione di potenza:

357 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

ARF466, ARF46, ARF4, ARF