SIB455EDK-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-SC75-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

22 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

30 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

13 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET, PowerPAK

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Serie:

SIB

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

18 S

Tempo di caduta:

3.2 us

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.4 us

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

3.7 us

Tempo di ritardo di accensione tipico:

0.4 us

Parte # Alias:

SIB455EDK-GE3

Unità di peso:

0.003386 oz

Tags

SIB45, SIB4, SIB