CSD87501L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

BGA-10

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

14 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

40 nC, 40 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.2 mm

Lunghezza:

3.37 mm

Serie:

CSD87501L

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.47 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

48 S, 48 S

Tempo di caduta:

712 ns, 712 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

260 ns, 260 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

709 ns, 709 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

164 ns, 164 ns

Unità di peso:

0.000109 oz

Tags

CSD8750, CSD875, CSD87, CSD8, CSD