FJC1963QTF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.45 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FJC1963

Guadagno di corrente CC hFE Max:

560

Altezza:

1.7 mm

Lunghezza:

4.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

FJC1963QTF_NL

Unità di peso:

0.004603 oz

Tags

FJC19, FJC1, FJC