DMN3900UFA-7B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X2-DFN0806-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

650 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

760 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

950 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

700 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

490 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN39

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

23.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

80.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10.5 ns

Tags

DMN3, DMN