DMN3016LFDE-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

U-DFN2020-E-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

16 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

25.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.02 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.6 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

Modalità di miglioramento MOSFET

Serie:

DMN3016

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

Modalità di miglioramento MOSFET

Larghezza:

2 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tempo di caduta:

5.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.8 ns

Tags

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