2N4857A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

JFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-18

Polarità del transistor:

Canale N

Configurazione:

Separare

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

40 V

Corrente Drain-Source a Vgs=0:

20 mA to 100 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

40 Ohms

Pd - Dissipazione di potenza:

360 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N4857

Confezione:

Massa

Tipo:

JFET

Marca:

Semiconduttore centrale

Tensione di interruzione gate-source:

2 V to 6 V

Tensione massima della porta di drenaggio:

40 V

Quantità confezione di fabbrica:

2000

Unità di peso:

0.011020 oz

Tags

2N4857A, 2N4857, 2N485, 2N48, 2N4