FDG6332C-F085P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-70-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

0.7 A, - 0.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

300 mOhms, 420 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

0.6 V, - 1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

1.5 nC, 2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.3 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

2.8 S, 1.8 S

Tempo di caduta:

1.5 ns, 1.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns, 14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

9 ns, 6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns, 5.5 ns

Tags

FDG6332C-F, FDG6332, FDG633, FDG63, FDG6, FDG