NDS8435

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

28 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

49 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

18 ns

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

65 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Unità di peso:

0.006596 oz

Tags

NDS8435, NDS843, NDS84, NDS8, NDS