F423MR12W1M1B11BOMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Tipo:

MOSFET CoolSiC

Vf - Tensione diretta:

4.6 V at 50 A

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 10 V, 20 V

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

AG-EASY1BM-2

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Confezione da quattro

Marca:

Tecnologie Infineon

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

11.5 ns

Id - Corrente di scarico continua:

50 A

Pd - Dissipazione di potenza:

20 mW

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

22.5 mOhms

Ora di alzarsi:

8.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

24

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Nome depositato:

EasyPACK CoolSiC MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

49.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14.3 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1200 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.45 V

Parte # Alias:

F4-23MR12W1M1_B11 SP001710600

Tags

F423, F42