NE3509M04-A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

CEL

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HFET

Tecnologia:

GaAs

Guadagno:

17.5 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

4 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 3 V

Id - Corrente di scarico continua:

60 mA

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

FTSMM-4 (M04)

Frequenza operativa:

2 GHz

Prodotto:

RF JFET

Tipo:

GaAs HFET

Marca:

CEL

Transconduttanza diretta - Min:

80 mS

Tensione di interruzione gate-source:

- 0.5 V

NF - Figura di rumore:

0.4 dB

P1dB - Punto di compressione:

11 dBm

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

NE3509, NE350, NE35, NE3