SISS02DN-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-1212-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

80 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V, - 12 V

Qg - Carica cancello:

83 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

65.7 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET, PowerPAK

Confezione:

Bobina

Serie:

SIS

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

94 S

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

23 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns

Tags

SISS0, SISS, SIS