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TGF2929-FL

TGF2929-FL
Mfr. #:
TGF2929-FL
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TGF2929-FL Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
TGF2929-FL maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor MOSFET RF
RoHS:
Y
Polarità del transistor:
Canale N
Tecnologia:
GaN SiC
Id - Corrente di scarico continua:
12 A
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
28 V
Guadagno:
14 dB
Potenza di uscita:
107 W
Confezione:
Vassoio
Frequenza operativa:
3.5 GHz
Tipo:
MOSFET di potenza RF
Marca:
Qorvo
Sensibile all'umidità:
sì
Pd - Dissipazione di potenza:
144 W
Tipologia di prodotto:
Transistor MOSFET RF
Quantità confezione di fabbrica:
25
sottocategoria:
MOSFET
Vgs - Tensione Gate-Source:
145 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
- 2.9 V
Parte # Alias:
1123811
Tags
TGF2929-F, TGF292, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 3.5 GHz, 100 W, 14 dB, 28 V, GaN
TGF2929 GaN RF Power Transistors
Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN on SiC HEMTs that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TGF2929-FL
DISTI # 772-TGF2929-FL		QorvoRF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
RoHS: Compliant		11
  • 1:$375.0000
Immagine Parte # Descrizione
HMC540SLP3E

Mfr.#: HMC540SLP3E

OMO.#: OMO-HMC540SLP3E

 Attenuators SOI 4Bit DAT - v3 ESD Improved MiM
LTC5582HDD#PBF

Mfr.#: LTC5582HDD#PBF

OMO.#: OMO-LTC5582HDD-PBF

 RF Detector 40MHz-10GHzRMSDetect w/57dB Dynamic Range
HMC7992LP3DE

Mfr.#: HMC7992LP3DE

OMO.#: OMO-HMC7992LP3DE

 RF Switch ICs SP4T Switch
5P49V6965A000NLGI

Mfr.#: 5P49V6965A000NLGI

OMO.#: OMO-5P49V6965A000NLGI

 Clock Generators & Support Products VersaClock 6E Standard Part
TPS82130SILT

Mfr.#: TPS82130SILT

OMO.#: OMO-TPS82130SILT

 Switching Voltage Regulators TPS82130 Step-Down Converter MicroSIP
LM27762DSST

Mfr.#: LM27762DSST

OMO.#: OMO-LM27762DSST

 LDO Voltage Regulators Low-Noise Pos/Neg Output Charge Pump
SMP-MSLD-PCT16T

Mfr.#: SMP-MSLD-PCT16T

OMO.#: OMO-SMP-MSLD-PCT16T

 RF Connectors / Coaxial Connectors STRAIGHT PCB JACK THROUGH HOLE, 50 OHM
LM27762DSST

Mfr.#: LM27762DSST

OMO.#: OMO-LM27762DSST-TEXAS-INSTRUMENTS

 IC REG CHARGE PUMP ADJ DL 12WSON
HMC540SLP3E

Mfr.#: HMC540SLP3E

OMO.#: OMO-HMC540SLP3E-ANALOG-DEVICES

 Active Attenuator Attenuators SOI 4Bit DAT - v3 ESD Improved MiM
HMC7992LP3DE

Mfr.#: HMC7992LP3DE

OMO.#: OMO-HMC7992LP3DE-ANALOG-DEVICES

 RF Switch ICs SP4T Switch
Disponibilità
Azione:
28
Su ordine:
2011
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Il prezzo attuale di TGF2929-FL è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
375,00 USD
375,00 USD
25
338,44 USD
8 461,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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