TK35E08N1,S1X

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

55 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12.2 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

25 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

72 W

Configurazione:

Separare

Altezza:

15.1 mm

Lunghezza:

10.16 mm

Serie:

TK35E08N1

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.45 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

TK35E0, TK35E, TK35, TK3