JAN2N4261/TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-72-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 15 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 15 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 4.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.15 V

Corrente massima del collettore CC:

- 30 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

150 at - 10 mA, - 1 V

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 at - 30 mA, - 1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

JAN2N426, JAN2N42, Jan2N4, Jan2N, Jan2, JAN