CDM2206-800LR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

800 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

24.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

110 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

UltraMOS

Confezione:

Massa

Serie:

CDM220

Marca:

Semiconduttore centrale

Tempo di caduta:

25.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

22.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

42.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.3 ns

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

CDM220, CDM22, CDM2, CDM