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GA20JT12-263

GA20JT12-263
Mfr. #:
GA20JT12-263
Produttore:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
TRANS SJT 1200V 45A
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
GA20JT12-263 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
GA20JT12-263 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Semiconduttore GeneSiC
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Serie
GA20JT12
Confezione
Bobina
Unità di peso
0.056438 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
TO-263-7
Tecnologia
SiC
Pd-Power-Dissipazione
282 W
Tempo di caduta
15 ns
Ora di alzarsi
12 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
3.44 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
45 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1200 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
50 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
25 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
15 ns
Qg-Gate-Carica
104 nC
Modalità canale
Aumento
Tags
GA20, GA2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
SIC JUNCTION TRANS, 1.2KV, 20A, TO-263
***i-Key
TRANS SJT 1200V 45A
GA20JT12 SiC Carbide Junction Transistors
GeneSiC GA20JT12 SiC Carbide Junction Transistors (SJT) are "Super-High" current gain SiC BJTs developed in 1200V to 10kV ratings. These SJTs are normally-off, compatible with standard MOSFET/IGBT drivers, and have the best temperature-independent switching and blocking performance. The GA20JT12 transistors operate at 175ºC (maximum), provide excellent gain linearity and low output capacitance. Features include gate oxide free SiC switch, optional gate return pin, and suitability for connecting an anti-parallel diode. The GA20JT12 advantages are >20µs short-circuit withstand capability and high amplifier bandwidth. Applications include down-hole oil drilling, motor drives, solar inverters, and induction heating.Learn more
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
GA20JT12-263
DISTI # 1242-1189-ND		GeneSic Semiconductor IncTRANS SJT 1200V 45A
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		252In Stock
  • 100:$31.8388
  • 50:$34.2570
  • 10:$37.2800
  • 1:$40.3000
GA20JT12-263
DISTI # 905-GA20JT12-263		GeneSic Semiconductor IncMOSFET 1200V 45A Standard
RoHS: Compliant		26
  • 1:$35.9200
  • 5:$34.1500
  • 10:$33.2300
  • 25:$32.3100
  • 50:$30.5400
  • 100:$28.3800
  • 250:$26.0500
Immagine Parte # Descrizione
GA20JT12-263

Mfr.#: GA20JT12-263

OMO.#: OMO-GA20JT12-263

 MOSFET 1200V 45A Standard
GA20JT12-247

Mfr.#: GA20JT12-247

OMO.#: OMO-GA20JT12-247

 MOSFET 1200V 45A Standard
GA20JT12-247

Mfr.#: GA20JT12-247

OMO.#: OMO-GA20JT12-247-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 TRANS SJT 1.2KV 20A
GA20JT12-263

Mfr.#: GA20JT12-263

OMO.#: OMO-GA20JT12-263-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 TRANS SJT 1200V 45A
Disponibilità
Azione:
Available
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4000
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
39,08 USD
39,08 USD
10
37,12 USD
371,21 USD
100
35,17 USD
3 516,75 USD
500
33,21 USD
16 606,90 USD
1000
31,26 USD
31 260,00 USD
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