UF3C065030B3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

UnitedSiC

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Pacchetto/custodia:

D2PAK-3

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

65 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

27 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

51 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 25 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

242 W

Confezione:

Tubo

Serie:

UF3C

Marca:

UnitedSiC

Tempo di caduta:

15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

57 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

32 ns

Tags

UF3C06503, UF3C0, UF3C, UF3