CGHV1F025S

CGHV1F025S
Mfr. #:
CGHV1F025S
Produttore:
N/A
Descrizione:
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
CGHV1F025S Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
CGHV1F025S maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Wolfspeed / Cree
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Confezione
Bobina
Stile di montaggio
SMD/SMT
Intervallo operativo di temperatura
- 40 C to + 150 C
Pacchetto-Custodia
DFN-12
Tecnologia
GaN SiC
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
HEMT
Guadagno
11 dB
Classe
-
Potenza di uscita
25 W
Pd-Power-Dissipazione
-
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 40 C
Applicazione
-
Frequenza operativa
15 GHz
Id-Continuo-Scarico-Corrente
2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
100 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
- 3 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
-
Polarità del transistor
Canale N
Transconduttanza diretta-Min
-
Kit di sviluppo
CGHV1F025S-TB
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 10 V to + 2 V
Gate-Sorgente-Tensione di interruzione
-
Tensione massima-Drain-Gate
-
Figura di rumore NF
-
P1dB-Punto di compressione
-
Tags
CGHV1F, CGHV1, CGHV, CGH
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
X-Band GaN HEMTs & MMICs
Wolfspeed/Cree X-Band GaN HEMTs & MMICs wide bandgap increases the breakdown field by five times and the power density by a factor of 10 to 20 compared with GaAs-based devices. Cree GaN components are smaller and have a lower capacitance for the same operating power. This means that amplifiers can operate over a wider bandwidth while exhibiting good input and output matching. X-band power amplifiers are moving away from inefficient GaAs pHEMTs and unreliable Traveling Wave Tubes due to the significant advantages of GaN HEMTs and MMICs.Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
CGHV1F025S-AMP1
DISTI # CGHV1F025S-AMP1-ND
WolfspeedDEMO HEMT TRANS AMP1 CGHV1F025S
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
1In Stock
  • 1:$637.4400
CGHV1F025S
DISTI # CGHV1F025STR-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V 12DFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 250
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 250:$87.4405
CGHV1F025S
DISTI # CGHV1F025SCT-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V 12DFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
Temporarily Out of Stock
  • 100:$96.1846
  • 1:$97.9300
CGHV1F025S
DISTI # CGHV1F025SDKR-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V 12DFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
Temporarily Out of Stock
  • 100:$96.1846
  • 1:$97.9300
CGHV1F025S
DISTI # 941-CGHV1F025S
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
RoHS: Compliant
0
  • 1:$87.4400
CGHV1F025S-AMP1
DISTI # 941-CGHV1F025S-AMP1
Cree, Inc.RF Development Tools Test Board with GaN HEMT
RoHS: Compliant
1
  • 1:$637.4400
Immagine Parte # Descrizione
CGHV14250F-TB

Mfr.#: CGHV14250F-TB

OMO.#: OMO-CGHV14250F-TB

RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
CGHV14250

Mfr.#: CGHV14250

OMO.#: OMO-CGHV14250-1190

Nuovo e originale
CGHV14800F

Mfr.#: CGHV14800F

OMO.#: OMO-CGHV14800F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V 440117
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 40V DIE
CGHV1J025

Mfr.#: CGHV1J025

OMO.#: OMO-CGHV1J025-1190

Nuovo e originale
CGHV14250P

Mfr.#: CGHV14250P

OMO.#: OMO-CGHV14250P-1152

RF POWER TRANSISTOR
CGHV1F025S-AMP1

Mfr.#: CGHV1F025S-AMP1

OMO.#: OMO-CGHV1F025S-AMP1-WOLFSPEED

DEMO HEMT TRANS AMP1 CGHV1F025S
CGHV1F025S

Mfr.#: CGHV1F025S

OMO.#: OMO-CGHV1F025S-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
CGHV1J006D

Mfr.#: CGHV1J006D

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-318

RF JFET Transistors DC-18GHz 6W GaN Gain@10GHz 17dB
CGHV1J025D

Mfr.#: CGHV1J025D

OMO.#: OMO-CGHV1J025D-318

RF JFET Transistors DC-18GHz 25W GaN Gain@10GHz 17dB
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
1500
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di CGHV1F025S è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
131,16 USD
131,16 USD
10
124,60 USD
1 246,02 USD
100
118,04 USD
11 804,40 USD
500
111,49 USD
55 743,00 USD
1000
104,93 USD
104 928,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
Iniziare con
Top