SP8M70TB1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

3 A, 2.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.25 Ohms, 2.2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V, 4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V, 20 V

Qg - Carica cancello:

5.2 nC, 8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

SP8M70

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

25 ns, 20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns, 15 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns, 30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 9 ns

Parte # Alias:

SP8M70

Tags

SP8M7, SP8M, SP8