STLD200N4F6AG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerFLAT-5x6-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

120 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.27 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

172 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

158 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

STRIPFET

Serie:

STLD200N4F6AG

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

410 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

440 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

600 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

150 ns

Tags

STLD20, STLD2, STLD, STL