MCH3376-TL-W

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

185 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

1.7 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

MCH3376

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

1.14 S

Tempo di caduta:

14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.3 ns

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

MCH3376, MCH337, MCH33, MCH3, MCH