SMMBT5551LT3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

160 V

Collettore-tensione di base VCBO:

180 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.25 V

Corrente massima del collettore CC:

600 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MMBT5551L

Guadagno di corrente CC hFE Max:

250

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

600 V

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

SMMBT55, SMMBT5, SMMBT, SMMB, SMM