OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Carrello

IPI057N08N3 G

IPI057N08N3 G
Mfr. #:
IPI057N08N3 G
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET N-Ch 80V 80A I2PAK-3
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IPI057N08N3 G Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Infineon
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-262-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
80 V
Id - Corrente di scarico continua:
80 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
5.7 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source:
20 V
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:
150 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Confezione:
Tubo
Altezza:
9.45 mm
Lunghezza:
10.2 mm
Serie:
IPI057N08
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Larghezza:
4.5 mm
Marca:
Tecnologie Infineon
Tempo di caduta:
10 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
66 ns
Quantità confezione di fabbrica:
500
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
38 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
18 ns
Parte # Alias:
IPI057N08N3GXKSA1
Unità di peso:
0.084199 oz
Tags
IPI057, IPI05, IPI0, IPI
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ponent Stockers USA
80 A 80 V 0.0057 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-262AA
***el Electronic
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
***ment14 APAC
MOSFET, N CH, 80A, 80V, PG-TO262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):4.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; Current Id Max:80A; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IPI057N08N3 G
DISTI # IPI057N08N3G-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPI057N08N3 G
    DISTI # 726-IPI057N08N3G    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 80V 80A I2PAK-3
    RoHS: Compliant    		0
      Immagine Parte # Descrizione
      IPI057N08N3 G

      Mfr.#: IPI057N08N3 G

      OMO.#: OMO-IPI057N08N3-G

      		 MOSFET N-Ch 80V 80A I2PAK-3
      IPI057N08N3

      Mfr.#: IPI057N08N3

      OMO.#: OMO-IPI057N08N3-1190

      		 Nuovo e originale
      IPI057N08N3 G

      Mfr.#: IPI057N08N3 G

      OMO.#: OMO-IPI057N08N3-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
      IPI057N08N3G

      Mfr.#: IPI057N08N3G

      OMO.#: OMO-IPI057N08N3G-1190

      		 Nuovo e originale
      Disponibilità
      Azione:
      Available
      Su ordine:
      4500
      Inserisci la quantità:
      Il prezzo attuale di IPI057N08N3 G è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
      Iniziare con
      Top