ISP12DP06NMXTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 60 V

Id - Corrente di scarico continua:

- 2.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

125 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

- 20.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

4.2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

ISP06P008

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

5.2 S

Tempo di caduta:

7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Parte # Alias:

ISP12DP06NM SP004987268

Tags

ISP12, ISP1, isp