IPG20N10S4L22ATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

20 mOhms, 20 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V

Qg - Carica cancello:

27 nC, 27 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Serie:

IPG20N10

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

18 ns, 18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns, 3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30 ns, 30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns, 5 ns

Parte # Alias:

IPG20N10S4L-22 IPG2N1S4L22XT SP000866570

Unità di peso:

0.003439 oz

Tags

IPG20N10S4L, IPG20N1, IPG20, IPG2, IPG