RN1306(TE85L,F)

RN1306(TE85L,F)
Mfr. #:
RN1306(TE85L,F)
Produttore:
Toshiba
Descrizione:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
RN1306(TE85L,F) Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - Pre-polarizzati
RoHS:
Y
Configurazione:
Separare
Polarità del transistor:
NPN
Resistenza di ingresso tipica:
4.7 kOhms
Rapporto resistore tipico:
0.1
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
USM-3
Guadagno base/collettore DC hfe min:
80
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
50 V
Corrente continua del collettore:
100 mA
Corrente di picco del collettore CC:
100 mA
Pd - Dissipazione di potenza:
100 mW
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Serie:
RN1306
Confezione:
Bobina
Guadagno di corrente CC hFE Max:
80
Altezza:
0.9 mm
Lunghezza:
2 mm
Larghezza:
1.25 mm
Marca:
Toshiba
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati
Quantità confezione di fabbrica:
6000
sottocategoria:
transistor
Tags
RN1306(T, RN1306, RN130, RN13, RN1
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
RN1306(TE85L,F)
DISTI # C1S751200326820
Toshiba America Electronic ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R
RoHS: Compliant
4800
  • 1000:$0.3220
  • 200:$0.3390
RN1306(TE85L,F)
DISTI # 757-RN1306(TE85L,F)
Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
RoHS: Compliant
0
    RN1306(TE85L,F)Toshiba America Electronic Components 8190
      Immagine Parte # Descrizione
      RN1306(TE85L,F)

      Mfr.#: RN1306(TE85L,F)

      OMO.#: OMO-RN1306-TE85L-F-

      Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
      RN1306(TE85L,F)

      Mfr.#: RN1306(TE85L,F)

      OMO.#: OMO-RN1306-TE85L-F--123

      Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
      RN1306(T5LF

      Mfr.#: RN1306(T5LF

      OMO.#: OMO-RN1306-T5LF-1190

      Nuovo e originale
      RN1306(TE85LF)

      Mfr.#: RN1306(TE85LF)

      OMO.#: OMO-RN1306-TE85LF--1190

      Nuovo e originale
      Disponibilità
      Azione:
      Available
      Su ordine:
      2000
      Inserisci la quantità:
      Il prezzo attuale di RN1306(TE85L,F) è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
      Iniziare con
      Top