NVATS4A102PZT4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

44 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

34 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

48 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

29 S

Tempo di caduta:

185 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

135 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

135 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns

Unità di peso:

0.011993 oz

Tags

NVATS4, NVAT, NVA