NTLJD2105LTBG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WDFN-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

6 V, 8 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

33 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V, 8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

520 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tags

NTLJD2, NTLJD, NTLJ, NTL