RQ3C150BCTB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HSMT-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

60 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

25 S

Tempo di caduta:

280 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

80 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

300 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns

Parte # Alias:

RQ3C150BC

Tags

RQ3