FGH30S130P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-3PN

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1300 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.9 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

25 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

60 A

Pd - Dissipazione di potenza:

500 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

FGH30S130P

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

60 A

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

450

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.225401 oz

Tags

FGH30S, FGH3, FGH