KSB811GTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

T

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

110 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

400

Altezza:

3.7 mm

Lunghezza:

4 mm

Confezione:

Pacchetto munizioni

Larghezza:

2.31 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

- 1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

70

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.008466 oz

Tags

KSB811, KSB81, KSB8, KSB