TP90H180PS

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

trasforma

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

GaN Si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

900 V

Id - Corrente di scarico continua:

15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

205 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

18 V

Qg - Carica cancello:

10 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

78 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

trasforma

Tempo di caduta:

7.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns

Tags

TP90, TP9