IXTY18P10T

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

18 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

120 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

15 V

Qg - Carica cancello:

39 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

83 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

IXTY18P10

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

13 S

Tempo di caduta:

22 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

26 ns

Quantità confezione di fabbrica:

70

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

44 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

IXTY18, IXTY1, IXTY, IXT