2N6545

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3-2

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

400 V

Collettore-tensione di base VCBO:

850 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

28 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N6545

Confezione:

Tubo

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

7 at 5 A, 3 V

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

20

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N6545 PBFREE

Unità di peso:

0.225789 oz

Tags

2N654, 2N65, 2N6