APT45GP120J

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

SOT-227-4

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Configurazione:

Canale N

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

3.3 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

34 A

Pd - Dissipazione di potenza:

329 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

75 A

Altezza:

9.6 mm

Lunghezza:

38.2 mm

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 150 C

Larghezza:

25.4 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Corrente continua del collettore:

75 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP

Unità di peso:

1.058219 oz

Tags

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