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FDP65N06

FDP65N06
Mfr. #:
FDP65N06
Produttore:
ON Semiconductor / Fairchild
Descrizione:
MOSFET 60V N-Channel MOSFET
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
FDP65N06 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
ON Semiconductor
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-220-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
60 V
Id - Corrente di scarico continua:
65 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
16 mOhms
Vgs - Tensione Gate-Source:
20 V
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
135 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Confezione:
Tubo
Altezza:
16.3 mm
Lunghezza:
10.67 mm
Serie:
FDP65N06
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Larghezza:
4.7 mm
Marca:
ON Semiconductor / Fairchild
Tempo di caduta:
52 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
94 ns
Quantità confezione di fabbrica:
1000
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
98 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
24 ns
Unità di peso:
0.063493 oz
Tags
FDP6, FDP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 65 A, 60 V, 3-Pin TO-220 ON Semiconductor FDP65N06
***Semiconductor
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 60 V, 65 A, 16 mΩ, TO-220
***p One Stop Japan
Trans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
***i-Key
MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
***ser
IGBTs 60V N-Channel MOSFET
***inecomponents.com
60V, 65A, NCH MOSFET
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:65A; On Resistance, Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4V; Threshold Voltage, Vgs Typ:20V ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 60V, 65A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 65A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V
***rchild Semiconductor
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
***nell
MOSFET, N TO-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:65A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.016ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:2V; Dissipazione di Potenza Pd:135W; Modello Case Transistor:TO-220; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):Lead (27-Jun-2018); Capacità Ciss Tipica:1670pF; Configurazione Pin:G(1),D(2)S(3); Corrente Id Max:65A; Corrente di Impulso Idm:260A; Intervallo Temperatura di Esercizio:Da -55°C a +150°C; Modello Case Alternativo:SOT-78B; Resistenza Stato On Max:16mohm; Resistenza Stato On Tipica:13mohm; Resistenza Termica A da Giunzione a Case:0.92°C/W; Temperatura di Esercizio Min:-55°C; Temperatura di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vgs Max:2V; Tensione Vgs th Max:4V
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
FDP65N06
DISTI # V36:1790_06359529		ON Semiconductor60V, 65A, NCH MOSFET0
  • 1000:$0.5418
FDP65N06
DISTI # FDP65N06-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 60V 65A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		1125In Stock
  • 5000:$0.7000
  • 3000:$0.7269
  • 1000:$0.7807
  • 100:$1.1469
  • 25:$1.3460
  • 10:$1.4270
  • 1:$1.5900
FDP65N06
DISTI # FDP65N06		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Bulk (Alt: FDP65N06)
RoHS: Compliant
Min Qty: 417
Container: Bulk		Americas - 0
  • 4170:$0.7399
  • 2085:$0.7589
  • 1251:$0.7689
  • 834:$0.7789
  • 417:$0.7839
FDP65N06
DISTI # FDP65N06		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail (Alt: FDP65N06)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1		Europe - 0
  • 1000:€0.5529
  • 500:€0.5959
  • 100:€0.6459
  • 50:€0.7039
  • 25:€0.7749
  • 10:€0.8609
  • 1:€0.9689
FDP65N06
DISTI # FDP65N06		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Rail/Tube (Alt: FDP65N06)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube		Americas - 0
  • 10000:$0.6169
  • 6000:$0.6319
  • 4000:$0.6409
  • 2000:$0.6489
  • 1000:$0.6529
FDP65N06
DISTI # 04M9106		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Bulk (Alt: 04M9106)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		Americas - 0
  • 5000:$0.8710
  • 2500:$0.9020
  • 1000:$0.9640
  • 500:$1.1500
  • 100:$1.3100
  • 10:$1.6200
  • 1:$1.8900
FDP65N06
DISTI # 04M9106		ON SemiconductorN CHANNEL MOSFET, 60V, 65A, TO-220,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:65A,Drain Source Voltage Vds:60V,On Resistance Rds(on):0.016ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2V,Product Range:-RoHS Compliant: Yes64
  • 1:$0.3830
  • 10:$0.3830
  • 100:$0.3830
  • 500:$0.3830
  • 1000:$0.3830
  • 2500:$0.3830
  • 5000:$0.3830
FDP65N06
DISTI # 512-FDP65N06		ON SemiconductorMOSFET 60V N-Channel MOSFET
RoHS: Compliant		1228
  • 1:$1.5700
  • 10:$1.3300
  • 100:$1.0600
  • 500:$0.9360
  • 1000:$0.7750
  • 2000:$0.7220
  • 5000:$0.6950
  • 10000:$0.6680
FDP65N06Fairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 65A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
RoHS: Compliant		17193
  • 1000:$0.6800
  • 500:$0.7200
  • 100:$0.7500
  • 25:$0.7800
  • 1:$0.8400
FDP65N06
DISTI # 8063567		ON SemiconductorMOSFETFAIRCHILDFDP65N06, PK900
  • 500:£0.7400
  • 250:£0.8040
  • 50:£0.9140
  • 25:£1.0300
  • 5:£1.1520
FDP65N06
DISTI # 2118346		ON SemiconductorN CHANNEL MOSFET, 60V, 65A, TO-220
RoHS: Compliant		64
  • 1000:$1.2000
  • 500:$1.4400
  • 100:$1.6400
  • 10:$2.0400
  • 1:$2.4200
FDP65N06,
DISTI # 1324800		ON SemiconductorMOSFET, N TO-2201050
  • 500:£0.6780
  • 250:£0.7240
  • 100:£0.7690
  • 25:£0.9600
  • 5:£1.0500
Immagine Parte # Descrizione
INA4181A4IPWR

Mfr.#: INA4181A4IPWR

OMO.#: OMO-INA4181A4IPWR

 Current Sense Amplifiers MULTI CHANNEL CURRENT SENSE L/H SIDE
IRS20957STRPBF

Mfr.#: IRS20957STRPBF

OMO.#: OMO-IRS20957STRPBF

 Audio Amplifiers Class D Aud Drvr IC
ZXGD3005E6TA

Mfr.#: ZXGD3005E6TA

OMO.#: OMO-ZXGD3005E6TA

 Gate Drivers 10A GATE DRIVER 25V VCC 25V VIN
2N6028

Mfr.#: 2N6028

OMO.#: OMO-2N6028

 SCRs Prog Uni-Junction
TJA1040T/CM,118

Mfr.#: TJA1040T/CM,118

OMO.#: OMO-TJA1040T-CM-118

 CAN Interface IC TJA1040T/SO8//CM/REEL 13 Q1 NDP
BAS21GWX

Mfr.#: BAS21GWX

OMO.#: OMO-BAS21GWX

 Diodes - General Purpose, Power, Switching High-voltage switching diode - 3k Reel
IRF640NPBF

Mfr.#: IRF640NPBF

OMO.#: OMO-IRF640NPBF

 MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
PDS5100H-13

Mfr.#: PDS5100H-13

OMO.#: OMO-PDS5100H-13

 Schottky Diodes & Rectifiers 5.0A 100V LFF
ISP742RI

Mfr.#: ISP742RI

OMO.#: OMO-ISP742RI

 Power Switch ICs - Power Distribution SMART HI SIDE SWITCH INDUSTRIAL APPS .4A
ISP742RI

Mfr.#: ISP742RI

OMO.#: OMO-ISP742RI-270

 Power Switch ICs - Power Distribution SMART HI SIDE SWITCH INDUSTRIAL APPS .4A
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
1984
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di FDP65N06 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
1,57 USD
1,57 USD
10
1,33 USD
13,30 USD
100
1,06 USD
106,00 USD
500
0,94 USD
468,00 USD
1000
0,78 USD
775,00 USD
2000
0,72 USD
1 444,00 USD
5000
0,70 USD
3 475,00 USD
10000
0,67 USD
6 680,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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