SSM3J35AMFV,L3F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-723-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

250 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

430 mS

Tempo di caduta:

145 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

42 ns

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

420 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Unità di peso:

0.000053 oz

Tags

SSM3J35A, SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM