NST3906DP6T5G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-963-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

250 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NST3906DP6

Guadagno di corrente CC hFE Max:

60 at 100 uA, 1 V

Altezza:

0.37 mm

Lunghezza:

1 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

0.8 mm

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Pd - Dissipazione di potenza:

280 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

transistor

Tags

NST3906D, NST3906, NST390, NST39, NST3, NST