FDMS3660AS

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-56-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

13 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V, 2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V, 20 V

Qg - Carica cancello:

21 nC, 64 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.2 W, 2.5 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

Power Stage PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

FDMS3660AS

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

173 S, 240 S

Tempo di caduta:

3 ns, 5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns, 5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21 ns, 38 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns, 12 ns

Unità di peso:

0.006032 oz

Tags

FDMS3660, FDMS366, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM